EDA與制造相關(guān)文章 美國逼迫越南制造脫鉤中國科技 6月16日消息，據(jù)路透社援引三位知情人士透露，美國在與越南的關(guān)稅談判中向其施壓，要求越南降低在當(dāng)?shù)亟M裝、出口至美國的產(chǎn)品中使用中國技術(shù)的比例。 1682277245-yue.jpg 在今年4月初，美國總統(tǒng)特朗普在白宮簽署關(guān)于所謂“對等關(guān)稅”的行政令，宣布對部分國家和地區(qū)加征對等關(guān)稅，其中對越南等進口商品加征了46%的關(guān)稅，比當(dāng)時宣布對中國大陸加征的34%關(guān)稅還要高。 發(fā)表于：6/17/2025 HBM未來開發(fā)路線圖揭曉 6月16日消息，據(jù)Tom’s hardware報道，韓國領(lǐng)先的國家研究機構(gòu) KAIST 近日發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細(xì)介紹了從目前到2038年間，高帶寬內(nèi)存 （HBM） 技術(shù)的演變，展示了HBM在帶寬、容量、I/O寬度和散熱方面的增加。路線圖涵蓋從HBM4到 HBM8的階段，在封裝、3D 堆疊、具有嵌入式 NAND 存儲的以內(nèi)存為中心的架構(gòu)，甚至還包括基于機器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗方面的研究。 發(fā)表于：6/17/2025 ASML EUV光刻路線還能走多遠？ 雖然近期臺積電高管表示，臺積電接下來的A16/A14制程都不會采用ASML售價高達4億美元的High NA EUV光刻機（具有0.5數(shù)值孔徑），但是英特爾則已經(jīng)決定在其下一代的Intel 14A制程上選擇采用High NA EUV光刻機進行量產(chǎn)。 與此同時，為了解決為了的1nm以下制程的制造問題，ASML正在積極的研發(fā)具有0.75NA的Hyper NA EUV光刻機，這也意味著其將面臨更大的技術(shù)挑戰(zhàn)，要知道ASML花了約20年的時間才成功推動標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機的規(guī)模商用。 而作為急需在EUV光刻機上進行突破的中國，則將目光瞄向了基于直線電子加速器的自由電子激光技術(shù)的EUV光源（EUV-FEL）技術(shù)。 發(fā)表于：6/16/2025 臺積電與三星激戰(zhàn)2nm 6月16日消息，據(jù)“韓國前鋒報”報導(dǎo)，臺積電和三星電子目標(biāo)都是在今年下半年量產(chǎn)2nm制程芯片，兩大半導(dǎo)體廠的搶單大戰(zhàn)預(yù)計將更加激烈，但三星的良率持續(xù)低于臺積電，成為吸引訂單的挑戰(zhàn)。 發(fā)表于：6/16/2025 中國臺灣將華為及中芯國際列入出口管制名單 6月15日消息，據(jù)彭博社報道，中國臺灣已將華為技術(shù)有限公司和中芯國際列入了出口管制黑名單，這對此前已經(jīng)被美國列入實體清單的這兩家公司又造成了一定程度的打擊。 發(fā)表于：6/16/2025 美光宣布將停產(chǎn)DDR4 價格或?qū)⒊掷m(xù)上漲 6月14日消息，據(jù)外媒wccftech報道，美國DRAM芯片大廠美光已正式通知客戶，其DDR4 內(nèi)存產(chǎn)品即將停產(chǎn)（EOL），未來6到9個月內(nèi)將逐步減少出貨。至此，包括三星、SK海力士和美光在內(nèi)全球前三大DRAM廠商均已退出了DDR4市場。 發(fā)表于：6/16/2025 英特爾7月將啟動新一輪裁員 6月15日消息，據(jù)外媒Oregon Live報導(dǎo)，英特爾已經(jīng)于本周向員工發(fā)出通知，將從今年7月中旬起，開始裁減位于俄勒岡州Silicon Forest園區(qū)的晶圓廠人員，首輪裁員預(yù)計將于7月底前完成，而且可能會啟動第二波裁員。 根據(jù)英特爾內(nèi)部信件，公司正針對Intel Foundry 制造事業(yè)部進行重組，并更聚焦于工程和技術(shù)職位（例如精簡中階管理層）。雖然公司未透露具體的裁員人數(shù)，但內(nèi)部溝通中表示這是為了改善公司財務(wù)狀況所做的必要之舉。 發(fā)表于：6/16/2025 臺系芯片設(shè)計業(yè)先進制程導(dǎo)入率將達45% 6月14日消息，據(jù)臺媒報道，中國臺灣經(jīng)濟部門為了協(xié)助臺廠提升競爭力，已經(jīng)祭出了三大策略，包括晶創(chuàng)計劃、類似團購模式取得電子設(shè)計自動化（EDA）優(yōu)惠價以及人才培育，借此降低臺廠導(dǎo)入先進制程成本，經(jīng)濟部門設(shè)定今年芯片設(shè)計使用先進制程目標(biāo)比例為45%。 發(fā)表于：6/16/2025 Synopsys中國業(yè)務(wù)開始恢復(fù) 但EDA還是不能賣 日前，美國強迫三大EDA巨頭Synopsys(新思科技)、Cadence、西門子集體切斷了對中國的供應(yīng)，試圖在遏制中國芯片的代工制造之后，連設(shè)計也要加一道大鎖。 發(fā)表于：6/16/2025 美光宣布在美投資增至2000億美元 6 月 13 日消息，美光當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布將在美國的投資從此前宣布的 1250 億美元擴大至 2000 億美元，包括額外 250 億美元的內(nèi)存制造投資和單獨 500 億美元的研發(fā)投資。 發(fā)表于：6/13/2025 美光與SK海力士等美國建廠計劃受阻 6月12日消息，據(jù)半導(dǎo)體研究機構(gòu)SemiAnalysis的最新研究顯示，雖然在《芯片與科學(xué)法案》（CHIPS and Science Act）的資助下，許多廠商在美國的晶圓廠開始建設(shè)或即將進入量產(chǎn)階段，但部分建廠因為環(huán)境審查與當(dāng)?shù)鼐用窨棺h而尚未動工，陷入“鄰避情結(jié)”（NIMBY）或許可流程長達兩年的狀況。目前受影響的項目包括Amkor（安靠）在亞利桑那州的先進封裝廠、美光在紐約的DRAM晶圓廠，以及SK 海力士在印第安納州HBM 工廠。 發(fā)表于：6/13/2025 傳三星兩大部門全力推動2nm Exynos 2600良率邁向50% 6月12日消息，據(jù)韓國媒體《NewDaily》報導(dǎo)稱，三星LSI部門與晶圓代工部門正加快提升基于2nm制程工藝的Exynos 2600處理器的性能與良率，以降低不必要的成本上升。 報道稱，雖然今年年初三星2nm良率僅30%，但從上個月起已朝向50%目標(biāo)邁進。如果要讓Exynos 2600量產(chǎn)具經(jīng)濟效益，三星需將良率提升至70%以上。 發(fā)表于：6/13/2025 進入中國市場三十年，英飛凌發(fā)布“在中國、為中國”本土化戰(zhàn)略 【2025年6月12日, 中國上海訊】三十載深耕不輟，三十載砥礪前行。2025年是英飛凌進入中國市場第30年。從晶體管時代到人工智能時代，英飛凌見證并參與了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的 發(fā)表于：6/13/2025 消息稱三星HBM3E芯片第三次未通過英偉達認(rèn)證 據(jù)香港券商報告，三星電子2025年6月未能通過第三次英偉達12層HBM3E芯片認(rèn)證。三星電子目前計劃于9月進行第四次認(rèn)證。 發(fā)表于：6/13/2025 中國暫停EDA公司新思科技收購Ansys審查 據(jù)悉，中國監(jiān)管機構(gòu)已暫停對新思科技（Synopsys）收購 Ansys 的反壟斷審查。據(jù)權(quán)威法律與并購情報服務(wù)機構(gòu) MLex 報道，中國國家市場監(jiān)督管理總局已暫停對這項交易的反壟斷審查 “時鐘”，多家媒體援引消息人士內(nèi)容，進一步確認(rèn)中國監(jiān)管機構(gòu)已正式 “暫?！?該交易的反壟斷審查流程。 發(fā)表于：6/13/2025 ?12345678910…?
