據(jù)香港券商報告，三星電子2025年6月未能通過第三次英偉達12層HBM3E芯片認證。
三星電子目前計劃于9月進行第四次認證。
三星最新的認證工作未能達到英偉達的標準，這為其進入下一波AI工作負載HBM供應的時間表帶來了進一步的不確定性。
盡管三星提前提升了HBM3E的產量，但由于未能獲得認證，其供應計劃被推遲。
與此同時，美光科技似乎正取得新進展。
美光公司利用韓美半導體的熱壓鍵合（TCB）設備，提高8層和12層HBM3E芯片的良率。
12層HBM3E芯片的良率已達到70%，而8層HBM3E芯片的良率則達到75%。
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