意法半導(dǎo)體大巴窯工廠落地創(chuàng)新冷卻系統(tǒng)，提升可持續(xù)發(fā)展能力

2025年6月12日，中國(guó)--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 委托新加坡能源公司（SP集團(tuán)）升級(jí)意法半導(dǎo)體大巴窯工廠的冷卻基礎(chǔ)設(shè)施。

發(fā)表于：6/12/2025

臺(tái)積電將美國(guó)2nm及A16制程生產(chǎn)計(jì)劃提前6個(gè)月

6月11日消息，據(jù)Tom's hardware援引臺(tái)媒Digitimes的消息報(bào)道稱，由于近期地緣政治形勢(shì)和需求變化促使臺(tái)積電重新調(diào)整其全球產(chǎn)能投資策略。 具體來說，為了應(yīng)對(duì)美國(guó)特朗普政府日益增長(zhǎng)的本土制造需求壓力，臺(tái)積電已將其即將在美國(guó)新建的2nm及A16制程的晶圓廠建設(shè)工期提前了多達(dá)6個(gè)月。相反，臺(tái)積電在日本的一家晶圓廠目前表現(xiàn)不佳，第二座晶圓廠也面臨延期。此外，德國(guó)汽車行業(yè)的萎縮，可能也會(huì)減緩臺(tái)積電在德國(guó)晶圓廠的進(jìn)一步投資。

發(fā)表于：6/12/2025

消息稱三星電子在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域率先導(dǎo)入干式光刻膠技術(shù)

6 月 11 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子在 DRAM 內(nèi)存領(lǐng)域率先導(dǎo)入干式光刻膠 (Dry PR) 技術(shù)，將應(yīng)用于到即將正式推出的第 6 代 10 納米級(jí)工藝 (1c nm) 中。 消息指三星電子已完成了干式光刻膠涂覆、顯影等工序所需的多臺(tái)泛林集團(tuán) (Lam Research) 所需設(shè)備。

發(fā)表于：6/12/2025

臺(tái)積電2024年日本營(yíng)收超40億美元

6月12日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電日本子公司“TSMC Japan”總經(jīng)理小野寺誠(chéng)于11日在橫濱市舉行的技術(shù)宣講會(huì)上表示，臺(tái)積電計(jì)劃在熊本縣菊陽町興建的第二座工廠（熊本二廠）“將在2025年下半年動(dòng)工”。

發(fā)表于：6/12/2025

美光率先獲得英偉達(dá)SoCEM模塊量產(chǎn)批準(zhǔn)

英偉達(dá)委托三大DRAM廠商開發(fā)SoCEM模塊，美光率先獲得量產(chǎn)批準(zhǔn)

發(fā)表于：6/11/2025

臺(tái)積電CoPoS封裝技術(shù)聚焦AI與高性能計(jì)算

6月11日消息，據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電將于2026年在其子公司采鈺設(shè)立首條CoPoS封裝技術(shù)實(shí)驗(yàn)線。與此同時(shí)，用于大規(guī)模生產(chǎn)的CoPoS量產(chǎn)工廠也已確定選址嘉義AP七，目標(biāo)是在2028年底至2029年間實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)。

發(fā)表于：6/11/2025

消息稱Rapidus將獲本田投資數(shù)十億日元

6 月 10 日消息，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》剛剛報(bào)道稱，本田將向 Rapidus 投資數(shù)十億日元，考慮采購(gòu)自動(dòng)駕駛汽車等新一代智能汽車的“半導(dǎo)體大腦”，效仿豐田支持日本本土的半導(dǎo)體行業(yè)。

發(fā)表于：6/11/2025

芯原可擴(kuò)展的高性能GPGPU-AI計(jì)算IP賦能汽車與邊緣服務(wù)器AI解決方案

2025年6月9日，中國(guó)上?！驹煞荩ㄐ驹?，股票代碼：688521.SH）今日宣布其高性能、可擴(kuò)展的GPGPU-AI計(jì)算IP的最新進(jìn)展，這些IP現(xiàn)已為新一代汽車電子和邊緣服務(wù)器應(yīng)用提供強(qiáng)勁賦能。

發(fā)表于：6/11/2025

意法半導(dǎo)體模塊化IO-Link開發(fā)套件簡(jiǎn)化工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備節(jié)點(diǎn)開發(fā)

2025 年6 月 10 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體發(fā)布了一套IO-Link開發(fā)工具，該套件提供開發(fā)IO-Link應(yīng)用所需的全部軟硬件，包含一個(gè)板載智能功率開關(guān)管的執(zhí)行器開發(fā)板，簡(jiǎn)化了執(zhí)行器和傳感器的開發(fā)過程。

發(fā)表于：6/11/2025

如何手工焊接PCB電路板

電路板焊接是一項(xiàng)重要的技術(shù)，在多個(gè)領(lǐng)域和行業(yè)中都有廣泛應(yīng)用。在電子元件焊接、電路板維修和DIY、硬件產(chǎn)品開發(fā)過程中需要掌握如何焊接。本文將詳細(xì)講述如何手工焊接。最后講手工焊接和機(jī)器焊接的適用情況。 1.如何手工焊接 在手工焊接時(shí)，需要準(zhǔn)備好工具材料、掌握好焊接方法和相應(yīng)的檢測(cè)方法。 1.1.焊接工具和材料 焊接要準(zhǔn)備的基本工具和材料有電烙鐵、焊錫絲、松香（助焊膏）、鑷子、萬用表、吸錫帶等其他工具。

發(fā)表于：6/11/2025

解放高多層PCB設(shè)計(jì)

隨著電子產(chǎn)品向小型化、高密度持續(xù)邁進(jìn)，PCB設(shè)計(jì)尤其是高多層板的設(shè)計(jì)正面臨前所未有的空間與性能挑戰(zhàn)。盤中孔工藝因其能極大優(yōu)化布線、提升性能而備受推崇，但高昂的成本卻使其成為少數(shù)高端產(chǎn)品的“奢侈品”。 何為盤中孔工藝 盤中孔，顧名思義，即在焊盤上直接制作過孔。其標(biāo)準(zhǔn)制造流程極為嚴(yán)謹(jǐn)：首先對(duì)鉆孔進(jìn)行金屬化處理，然后利用真空塞孔機(jī)將樹脂或銅漿填充至孔內(nèi)。經(jīng)過高溫固化與研磨，使孔口表面恢復(fù)平整。最后，通過電鍍?cè)诳卓谛纬伞吧w帽”，將焊盤還原為一個(gè)完整的導(dǎo)電平面。這一系列復(fù)雜工序確保了過孔的導(dǎo)電性與焊盤的完整性、平整性。

發(fā)表于：6/11/2025

英特爾展示封裝創(chuàng)新路徑

為了推動(dòng)AI等創(chuàng)新應(yīng)用落地，使其惠及更廣大的用戶，需要指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的算力。為此，半導(dǎo)體行業(yè)正在不斷拓展芯片制造的邊界，探索提高性能、降低功耗的創(chuàng)新路徑。 在這樣的背景下，傳統(tǒng)上僅用于散熱和保護(hù)設(shè)備的封裝技術(shù)正在從幕后走向臺(tái)前，成為行業(yè)熱門趨勢(shì)。與傳統(tǒng)的封裝技術(shù)不同，先進(jìn)封裝技術(shù)可以在單個(gè)設(shè)備內(nèi)集成不同廠商、不同制程、不同大小、不同功能的芯片，從而為打造功能更強(qiáng)大、能效比更高的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），帶來了全新的可能性。

發(fā)表于：6/10/2025

SK海力士發(fā)布未來30年新DRAM技術(shù)路線圖

SK海力士在會(huì)議上提出了未來 30 年的新 DRAM 技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新方向。

發(fā)表于：6/10/2025

消息稱臺(tái)積電調(diào)整海外建設(shè)計(jì)劃

6 月 10 日消息，臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》昨日?qǐng)?bào)道稱，在美國(guó)方面的催促下臺(tái)積電將加速其在美子公司 TSMC Arizona 的建廠和量產(chǎn)，第二、第三晶圓廠進(jìn)度較先前計(jì)劃提前半年左右。

發(fā)表于：6/10/2025

復(fù)旦大學(xué)：我國(guó)將在2028年完成28nm工藝的安全化

6月9日消息，近日，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASMLCEO傅恪禮（Christophe Fouquet）接受媒體采訪時(shí)明確表示，美國(guó)出臺(tái)的打壓措施只會(huì)適得其反，讓中國(guó)“更努力取得成功”。 ASML是全球唯一一家高端光刻機(jī)的制造商。傅恪禮稱，中國(guó)已經(jīng)開始研發(fā)一些國(guó)產(chǎn)光刻設(shè)備，盡管中國(guó)在趕超ASML的技術(shù)方面還有很長(zhǎng)的路要走，但“你試圖阻止的人會(huì)更加努力地取得成功?！?/a>