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等離子鍍膜用射頻電源功率計(jì)算與控制系統(tǒng)研究

當(dāng)前的等離子磁控濺射鍍膜領(lǐng)域廣泛使用的射頻電源存在功率控制精度不足，功率可調(diào)范圍有限，以及因功率計(jì)算不準(zhǔn)確導(dǎo)致輸出功率波動(dòng)較大和誤差顯著等問題。為此，基于數(shù)字下變頻技術(shù)生成射頻信號(hào)源，提出了一種等離子體鍍膜用射頻電源功率計(jì)算與控制系統(tǒng)，通過VI Sensor上耦合的傳輸線上的信息直接計(jì)算出射頻電源的輸出功率，并利用控制器調(diào)節(jié)信號(hào)源幅值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出功率的精確調(diào)節(jié)。仿真驗(yàn)證該方法能夠?qū)崿F(xiàn)快速、準(zhǔn)確的功率計(jì)算及高精度的功率調(diào)節(jié)。通過實(shí)際樣機(jī)測(cè)試，該方案被證實(shí)能夠顯著降低輸出功率誤差，并提高鍍膜樣品上的成膜質(zhì)量，為等離子磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。

發(fā)表于：10/28/2025

低溫度與工藝增益誤差的可變?cè)鲆娣糯笃髟O(shè)計(jì)

采用0.18 μm工藝，設(shè)計(jì)了一種適用于高精度測(cè)溫系統(tǒng)中的可變?cè)鲆娣糯笃?，相比于傳統(tǒng)的前置放大器，采用開環(huán)結(jié)構(gòu)避免了反饋網(wǎng)絡(luò)漏電流對(duì)前端采樣電路的影響。通過與電源電壓無(wú)關(guān)的電流源給跨導(dǎo)放大器電路提供電流，產(chǎn)生一個(gè)不包含工藝參數(shù)的跨導(dǎo)，最后通過運(yùn)算放大器獲得一個(gè)與電源電壓、溫度和工藝參數(shù)無(wú)關(guān)的增益。通過改變?nèi)罘挚鐚?dǎo)放大器的負(fù)載，來(lái)實(shí)現(xiàn)10倍和40倍可變?cè)鲆妗７抡娼Y(jié)果表明，放大倍數(shù)為10倍時(shí)，增益隨溫度最大誤差為0.19 dB，增益隨電源電壓最大誤差為0.15 dB，增益隨工藝偏差為0.12 dB。放大倍數(shù)為40倍時(shí)，增益隨溫度最大誤差為0.16 dB，增益隨電源電壓最大誤差為0.23 dB，隨工藝偏差為0.13 dB。

發(fā)表于：10/28/2025

LDO啟動(dòng)浪涌的反饋網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化抑制方法研究

低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心電源管理器件，其啟動(dòng)浪涌電流問題嚴(yán)重威脅系統(tǒng)可靠性。以MSK5101型LDO為研究對(duì)象，針對(duì)使能端加入RC延時(shí)電路后輸入浪涌電流尖峰現(xiàn)象，提出一種基于反饋網(wǎng)絡(luò)動(dòng)態(tài)優(yōu)化的抑制方法。通過建立小信號(hào)模型并進(jìn)行頻域分析，揭示了反饋網(wǎng)絡(luò)參數(shù)對(duì)系統(tǒng)響應(yīng)速度與穩(wěn)定性的影響規(guī)律，提出通過增大反饋電阻與調(diào)整補(bǔ)償電容實(shí)現(xiàn)等效軟啟動(dòng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，優(yōu)化后浪涌電流峰值由2.7 A降至0.87 A（降幅67.8%），輸出電壓建立時(shí)間由2.9 ms延長(zhǎng)至12.3 ms，顯著提升了宇航電源系統(tǒng)的可靠性和魯棒性。

發(fā)表于：10/28/2025

一種基于電流比較的LDO折返式限流保護(hù)電路

針對(duì)低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）可能出現(xiàn)的過載、短路問題，基于180 nm BCD工藝，設(shè)計(jì)了一種基于電流比較的折返式限流保護(hù)電路。通過添加監(jiān)測(cè)信號(hào)，有效避免了折返式限流電路中容易出現(xiàn)的“閂鎖”問題。仿真結(jié)果表明，在達(dá)到過流限時(shí)，輸出電流減小至200 mA，輸出電壓減小約400 mV后開始折返，LDO的輸出電流和輸出電壓均下降。結(jié)果表明，該電路在完成限流保護(hù)功能的同時(shí)大大降低了系統(tǒng)過流狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。

發(fā)表于：10/28/2025

一種寬輸入低紋波電荷泵負(fù)壓電源芯片設(shè)計(jì)

為解決電感型電源芯片電磁干擾嚴(yán)重和電容型電源芯片輸出紋波過大的問題，設(shè)計(jì)了一種電容型電源芯片。該芯片采用無(wú)電感結(jié)構(gòu)，在高頻條件下輸出紋波低于1 mV，接近電感型電源芯片。芯片輸出電壓可在-16 V至-3 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，工作頻率可在90 kHz到1 MHz間改變。該電路基于250 nm工藝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明，在輸入電壓為16 V、輸出電流為100 mA、工作頻率為1 MHz的條件下，輸出紋波為0.6 mV，輸出電壓為-14.84 V，效率達(dá)到87.1%；當(dāng)工作頻率降至90 kHz時(shí)，輸出紋波為10 mV，輸出電壓為-14.83 V，效率提升至91.9%。仿真數(shù)據(jù)表明，該芯片具有良好的適應(yīng)性，可滿足多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

發(fā)表于：10/28/2025

大尺寸鈣鈦礦光伏模組光電轉(zhuǎn)換效率超20%

10 月 28 日消息，據(jù)上海交通大學(xué)微信公眾號(hào)消息，近日，《Nature》在線發(fā)表了上海交通大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院趙一新教授團(tuán)隊(duì)題為“A matrix-confined molecular layer for perovskite photovoltaic modules”的研究論文。該研究創(chuàng)新性地提出一種“基質(zhì)限域分子層”型空穴傳輸層構(gòu)型新概念，突破了傳統(tǒng)自組裝單分子層（SAM）型空穴傳輸層體系中面臨的分子聚集、堆疊和結(jié)晶的本征限制，創(chuàng)制了分子適用性廣、工藝推廣性高的電荷傳輸層新技術(shù)路徑，解決了基于自組裝電荷傳輸層的鈣鈦礦光伏模組制備過程中面臨的薄膜不均勻、界面不穩(wěn)定難題。

發(fā)表于：10/28/2025

中國(guó)快充方案成為全球標(biāo)準(zhǔn)

10 月 27 日消息，泰爾終端實(shí)驗(yàn)室今日宣布，由中國(guó)信息通信研究院牽頭，聯(lián)合華為、vivo、OPPO 公司撰寫的標(biāo)準(zhǔn) L.1004“Universal fast-charging solution for mobile terminals”（移動(dòng)終端通用快速充電解決方案）通過國(guó)際電信聯(lián)盟第五研究組（ITU-T SG5）審議并作為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布。

發(fā)表于：10/28/2025

傳半固態(tài)電池將更名為固液電池

10月27日消息，今日，據(jù)第一財(cái)經(jīng)報(bào)道，從知情人士處獲悉，為了防止市場(chǎng)把半固態(tài)電池和固態(tài)電池混淆，相關(guān)主管部門正在醞釀出臺(tái)一個(gè)新文件，將“半固態(tài)電池”統(tǒng)一命名為“固液電池”。

發(fā)表于：10/27/2025

我國(guó)全固態(tài)電池與L4級(jí)自動(dòng)駕駛普及時(shí)間點(diǎn)公布

10月23日消息，大家最關(guān)心的全固態(tài)電池、L4級(jí)自動(dòng)駕駛何時(shí)普及，迎來(lái)最新時(shí)間線！自2016年、2020年分別發(fā)布1.0和2.0版本之后，中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)日前發(fā)布《節(jié)能與新能源汽車技術(shù)路線圖3.0》。

發(fā)表于：10/24/2025

國(guó)內(nèi)首個(gè)融合快充無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

10月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)（CCSA）近日宣布，聯(lián)合電信終端產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（TAF）共同制定，并由中國(guó)信息通信研究院攜手國(guó)內(nèi)主流終端與芯片企業(yè)聯(lián)合起草的T/CCSA 708-2025（T/TAF 313—2025）《移動(dòng)終端融合快速充電無(wú)線充電技術(shù)要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布。該標(biāo)準(zhǔn)是國(guó)內(nèi)首個(gè)支持高功率融合充電技術(shù)的無(wú)線快充標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)表于：10/24/2025