10月22日，據(jù)IDTechEX最新發(fā)布的預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，隨著電動(dòng)汽車市占率持續(xù)擴(kuò)大，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為代表的更高性能的功率半導(dǎo)體也被越來(lái)越多的車型采用。預(yù)計(jì)到2036年前，車用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)三倍之多，達(dá)到420億美元。

報(bào)告稱，三年前，電動(dòng)車采用SiC MOSFET（場(chǎng)效晶體管）還可以當(dāng)做一個(gè)賣點(diǎn)來(lái)宣傳，但現(xiàn)在使用碳化硅的純電車比比皆是，甚至連插電混動(dòng)車（PHEV）都開(kāi)始使用，包含Toyota 與Schaeffler 都宣布推出面向PHEV車型的SiC MOSFET。這代表碳化硅已經(jīng)進(jìn)入成熟階段。

由于碳化硅晶圓供應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，許多公司已經(jīng)擴(kuò)大量產(chǎn)200毫米的碳化硅晶圓，Wolfspeed 和英飛凌（Infineon）都開(kāi)始量產(chǎn)推出，并成為小米、理想等中國(guó)車廠的供應(yīng)商，帶動(dòng)碳化硅成為市場(chǎng)主流選項(xiàng)，即使是純電里程不高的PHEV車型，也都開(kāi)始選用SiC，可見(jiàn)其成熟度。

緊跟在碳化硅之后，就是消費(fèi)者已經(jīng)耳熟能詳?shù)牡墸F(xiàn)在基于氮化鎵的快充充電頭也已經(jīng)是隨處可見(jiàn)，它的高功率、高電壓特性也準(zhǔn)備在電動(dòng)車市場(chǎng)上發(fā)揮所長(zhǎng)。

中國(guó)長(zhǎng)安汽車預(yù)計(jì)在2027年，推出搭載氮化鎵車載充電器的新車，由Navitas 供應(yīng)元件，功率密度達(dá)到每公升6kW，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于目前主流車載充電器每公升2kW 的水準(zhǔn)。換句話說(shuō)，在體積相同的情況下，充電功率有可能翻倍提升。

IDTechEX 分析師認(rèn)為，氮化鎵在初期主要會(huì)用于車載充電，以及直流變壓器上，之后則有包括恩智浦（NXP）、VisIC 等廠商，正在開(kāi)發(fā)氮化鎵驅(qū)動(dòng)逆變器，有望取代一部分硅基逆變器和SiC 逆變器。

考慮到成本、開(kāi)發(fā)時(shí)程和量產(chǎn)規(guī)模等因素，在未來(lái)幾年，預(yù)估會(huì)看到更多混合配置的功率半導(dǎo)體組合，運(yùn)用Si IGBT、SiC MOSFET 和GaN HEMT 并聯(lián)，可以在兼顧成本的情況下，對(duì)應(yīng)不同負(fù)載需求的產(chǎn)品。

當(dāng)然，在成本考察不那么敏感的產(chǎn)品上，全面采用碳化硅逆變器，是最合理高效的選項(xiàng)，在GaN 獲得更具體的商業(yè)應(yīng)用前，SiC 的大量成長(zhǎng)，似乎是可以預(yù)期的趨勢(shì)。