7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報道，三星電子當(dāng)?shù)貢r間昨日下午對其第六代 10nm 級 DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn) (PRA)。這標(biāo)志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開發(fā)，準(zhǔn)備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。
三星電子的 HBM4 12Hi 內(nèi)存將使用 1c nm DRAM Die，可以說該內(nèi)存工藝的表現(xiàn)在很大程度上影響了 DS 部門存儲器事業(yè)部未來 1~2 年的營收表現(xiàn)。
而在三星電子之前，SK 海力士和美光也都完成了第六代 20~10nm 制程 DRAM 的開發(fā)，三大內(nèi)存原廠向 10nm 關(guān)口更近了一步。
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