9 月 4 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （注：即 12nm 級） LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。

三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產，后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發(fā)工作。

然而該韓媒此前就在今年 6 月 11 日宣稱，三星電子的 1b nm DRAM 內存產品當時良率不足五成。

▲ 三星電子 LPDDR 內存產品線

韓媒今日報道指出，三星電子 DS 部門本應在 8 月之前就向 MX 部門供應一定規(guī)模的 12Gb、16Gb 容量 1b nm LPDDR 內存樣品，用于 Galaxy S25 系列手機開發(fā)。但 DS 部門未能按時提供足夠數量樣品。

知情人士透露，三星電子的 1b nm LPDDR 良率不及預期，影響了企業(yè)內部的供貨時間表，MX 部門已就此提出抗議，并正在重新審視 Galaxy S25 系列手機的 DRAM 供應計劃。

根據 DRAM 產業(yè)一般規(guī)律，要想實現穩(wěn)定且經濟的大規(guī)模生產與供應，內存良率至少需要達到 80%。目前看來三星電子的 1b nm LPDDR 即使在企業(yè)內部供應中也存在不足問題，意味著該產品良率遠低于 80% 的目標。