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谷歌DeepMind機(jī)器人AI模型實(shí)現(xiàn)本地化運(yùn)行

谷歌 DeepMind 今日發(fā)布博客文章，宣布推出一種全新的 Gemini Robotics On-Device 本地化機(jī)器人AI模型。該模型基于視覺-語言-動(dòng)作（VLA）架構(gòu)，無需云端支持即可實(shí)現(xiàn)實(shí)體機(jī)器人控制。核心特性包括：

發(fā)表于：6/25/2025 9:02:37 AM

全球電子協(xié)會(huì)（Global Electronics Association）正式亮相，新名稱傳承IPC 70年影響力，賦能全球6萬億美元電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展

【中國上海，2025年6月23日】— 今天，IPC（國際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)）正式更名為全球電子協(xié)會(huì)（Global Electronics Association），開啟全新篇章，同時(shí)反映其作為全球電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的定位。

發(fā)表于：6/24/2025 4:16:38 PM

德施曼麒麟R9成618首款賣爆的AI管家鎖

在剛剛落幕的2025年618電商大促中,智能鎖行業(yè)領(lǐng)軍品牌德施曼再度以絕對(duì)優(yōu)勢(shì)奪得全平臺(tái)銷額&銷量行業(yè)第一,高端市場(chǎng)銷額&銷量同比增長245%,再次展現(xiàn)了其行業(yè)領(lǐng)先的地位。

發(fā)表于：6/24/2025 3:00:00 PM

蔡司打造全鏈智聯(lián)解決方案解碼多元行業(yè)質(zhì)控路徑

在"質(zhì)量強(qiáng)國"戰(zhàn)略的引領(lǐng)下，中國工業(yè)正加速從制造向智造與質(zhì)造跨越式發(fā)展。工業(yè)質(zhì)量管控體系隨之迎來關(guān)鍵轉(zhuǎn)型，從局部優(yōu)化邁向全域賦能，從單點(diǎn)突破轉(zhuǎn)向全鏈協(xié)同。

發(fā)表于：6/24/2025 2:36:37 PM

意法半導(dǎo)體推出新款柵極驅(qū)動(dòng)器

2025 年 6 月 23 日，中國——意法半導(dǎo)體推出新一代集成化柵極驅(qū)動(dòng)器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無刷電機(jī)，提高消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的性能、能效和經(jīng)濟(jì)性。

發(fā)表于：6/24/2025 1:59:08 PM

消息稱首款UALink規(guī)范高速互聯(lián)芯片最早可能今年底實(shí)現(xiàn)流片

6 月 24 日消息，臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》本月 20 日根據(jù)市場(chǎng)傳聞報(bào)道稱，首款支持 UALink 規(guī)范高速互聯(lián)芯片最早可能今年底實(shí)現(xiàn)流片，而整個(gè) UALink 陣營目前有數(shù)十個(gè)在研項(xiàng)目，預(yù)計(jì) 2026 年將有更多產(chǎn)品加入。英偉達(dá)雖然以 NVLink Fusion IP 授權(quán)的形式對(duì)第三方部分開放了 NVLink 機(jī)架級(jí)架構(gòu)互聯(lián)技術(shù)但仍設(shè)有嚴(yán)格限制，僅支持半定制化 / 半自定義模式：

發(fā)表于：6/24/2025 1:30:55 PM

消息稱臺(tái)積電為蘋果建2nm專用產(chǎn)線

6 月 24 日消息，蘋果公司計(jì)劃在 2026 年推出的 iPhone 18 系列中采用臺(tái)積電的下一代 2 納米制程工藝，并結(jié)合先進(jìn)的 WMCM（晶圓級(jí)多芯片模塊）封裝方法。臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的純晶圓代工廠，已為蘋果建立了一條專用生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)于 2026 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

發(fā)表于：6/24/2025 1:22:05 PM

DDR4現(xiàn)貨價(jià)首次超越同規(guī)格DDR5一倍

6月24日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于供應(yīng)減少，DDR4現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)飆漲，短短兩周內(nèi)上漲了約50%，二季度以來漲幅超兩倍，而23日DDR4 16Gb芯片甚至出現(xiàn)報(bào)價(jià)比同樣為16Gb容量的DDR5貴約一倍的情況，這也是DRAM史上首次上一代產(chǎn)品報(bào)價(jià)竟比最新規(guī)格高100%。在今年5月中下旬時(shí)，DDR4報(bào)價(jià)開始快速上漲，但報(bào)價(jià)仍低于DDR5，直到6月初出現(xiàn)DDR4現(xiàn)貨價(jià)超越DDR5的“報(bào)價(jià)倒掛”行情，市場(chǎng)追價(jià)買盤更顯火熱。而從同樣容量的DDR4現(xiàn)貨價(jià)追上DDR5，到現(xiàn)在DDR4報(bào)價(jià)比DDR5貴一倍，也僅花了短短約兩周的時(shí)間，“市場(chǎng)瘋狂程度可見一斑”。

發(fā)表于：6/24/2025 1:16:07 PM

英特爾再次因財(cái)務(wù)問題推遲俄亥俄州晶圓廠

6月23日消息，據(jù)外媒 NBC4i 報(bào)道稱，由于財(cái)務(wù)問題，英特爾已經(jīng)多次推遲了其在俄亥俄州晶圓廠（曾被稱為 Silicon Heartland）的建設(shè)和設(shè)備采購，現(xiàn)在的量產(chǎn)時(shí)間表已經(jīng)推遲到了2031年，但這將使得英特爾的供應(yīng)商——美國電力（AEP）在俄亥俄州的變電站將持續(xù)閑置。

發(fā)表于：6/24/2025 1:08:10 PM

礪算科技回應(yīng)6nm GPU測(cè)試成績拉胯指責(zé)

近日，Geekbench數(shù)據(jù)庫當(dāng)中出現(xiàn)了據(jù)稱是礪算科技最新6nm GPU G100的參數(shù)信息和OpenCL測(cè)試數(shù)據(jù)，顯示其性能與英偉達(dá)RTX 4060差距巨大，這與之前傳聞的G100可以對(duì)標(biāo)RTX 4060的說法不符。對(duì)此，礪算科技今天中午發(fā)布澄清函回應(yīng)稱，該數(shù)據(jù)（包括硬件參數(shù)及測(cè)試數(shù)據(jù)）不實(shí)。GL4.6和OpenCL 3.0等。

發(fā)表于：6/24/2025 1:00:06 PM

國際星閃聯(lián)盟預(yù)計(jì)2025年芯片出貨量將突破1億大關(guān)

6 月 23 日消息，華為開發(fā)者大會(huì)（HDC 2025）于上周在東莞松山湖舉辦。星閃專題論壇以“打造全場(chǎng)景新體驗(yàn)，星閃開放能力繁榮鴻蒙生態(tài)”為核心，匯聚了百余名行業(yè)專家、開發(fā)者及生態(tài)合作伙伴，圍繞星閃技術(shù)在智能終端、汽車、音頻、定位等多場(chǎng)景的應(yīng)用展開深入探討。

發(fā)表于：6/24/2025 11:28:38 AM

曝三星1.4nm推遲至2028年

6月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星原定于今年第二季度動(dòng)工的1.4nm測(cè)試線建設(shè)計(jì)劃已被推遲，預(yù)計(jì)投資將延后至今年年底或最早明年上半年。

發(fā)表于：6/24/2025 11:22:00 AM

Techinsights確認(rèn)華為麒麟處理器最好工藝依然是7nm

6月24日消息，知名半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu)TechInsights完成了對(duì)麒麟X90的探索性分析，確認(rèn)該處理器依然采用7nm（N+2）制程工藝，并非傳言中的5nm。麒麟X90由華為MateBook Fold折疊屏鴻蒙電腦搭載，該筆記本于2025年5月推出，搭載自研麒麟X90處理器和自研鴻蒙5操作系統(tǒng)，引發(fā)廣泛關(guān)注。

發(fā)表于：6/24/2025 11:17:01 AM

富士通2nm CPU仍交由臺(tái)積電代工

6月24日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本富士通（Fujitsu）目前正研發(fā)2nm CPU “MONAKA”，預(yù)計(jì)將交由臺(tái)積電代工生產(chǎn)。不過，富士通也表示，日本初創(chuàng)晶圓代工企業(yè)Rapidus 對(duì)于確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定性來說非常有用。據(jù)了解，富士通Monaka是一款面向數(shù)據(jù)中心的處理器，采用基于臺(tái)積電的CoWoS-L封裝技術(shù)的博通3.5D XDSiP技術(shù)平臺(tái)，擁有36個(gè)計(jì)算小芯片。其中主要的CPU計(jì)算核心基于Armv9指令集，擁有144個(gè)CPU內(nèi)核，采用臺(tái)積電2nm制程制造，并使用混合銅鍵合（HCB）以面對(duì)面（F2F）方式堆疊在 SRAM tiles 上（本質(zhì)上是巨大的緩存）。SRAM tiles是基于臺(tái)積電的5nm工藝制造的。計(jì)算和緩存堆棧伴隨著一個(gè)相對(duì)巨大的 I/O 芯片，該芯片集成了內(nèi)存控制器、頂部帶有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以連接加速器和擴(kuò)展器，以及人們期望從數(shù)據(jù)中心級(jí) CPU 獲得的其他接口。

發(fā)表于：6/24/2025 11:13:10 AM

2026年約1/3手機(jī)芯片采用2nm/3nm先進(jìn)工藝

CounterPoint 預(yù)測(cè) 2026 年約 1/3 出貨手機(jī)芯片采用 2nm / 3nm 先進(jìn)工藝

發(fā)表于：6/24/2025 10:24:00 AM