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PCB的Gerer文件解析

嘉立創(chuàng)（JLCPCB）作為國內(nèi)領(lǐng)先的PCB打樣廠商，以高性價比和穩(wěn)定品質(zhì)贏得廣泛認(rèn)可。其6層板采用A級FR4板材，確保良好的電氣性能和機(jī)械強(qiáng)度，線寬精度可達(dá)3.5mil，滿足常規(guī)設(shè)計(jì)需求。嚴(yán)格執(zhí)行IPC Class 2標(biāo)準(zhǔn)，通過飛針測試全檢，保障線路連通性和絕緣可靠性。表面工藝如沉金、噴錫等均符合行業(yè)規(guī)范，焊盤平整度高，適合SMT貼片。此外，自動化生產(chǎn)線和標(biāo)準(zhǔn)化管理減少了人為誤差，良率高。對于消費(fèi)電子、工控設(shè)備等應(yīng)用，以價格低品質(zhì)優(yōu)交期快，成為工程師和小批量生產(chǎn)的首選。

發(fā)表于：4/24/2025

傳智路資本擬30億美元出售半導(dǎo)體封測企業(yè)UTAC

4月23日消息，據(jù)彭博社援引知情人士報道稱，中國投資公司智路資本（Wise Road Capital）正考慮出售半導(dǎo)體封裝和測試公司新加坡聯(lián)合科技（UTAC）。

發(fā)表于：4/24/2025

意法半導(dǎo)體披露其全球計(jì)劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)

2025年4月17日，中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。

發(fā)表于：4/23/2025

中美關(guān)稅戰(zhàn)之下臺系功率元件廠急覓第三地產(chǎn)能

4月23日消息，據(jù)臺媒《工商時報》報道，受中美關(guān)稅戰(zhàn)等地緣政治因素影響，正迫使半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重組。特別是在不少歐美客戶要求非中國大陸、非中國臺灣制造要求下，多家臺系功率半導(dǎo)體廠商都在尋覓新生產(chǎn)基地，以提升供應(yīng)鏈彈性。

發(fā)表于：4/23/2025

英特爾出售Altera多數(shù)股份交易細(xì)節(jié)曝光

英特爾出售 Altera 多數(shù)股份交易細(xì)節(jié)：將長期維持同后者晶圓代工合作

發(fā)表于：4/23/2025

JetBrains宣布停用Aqua測試自動化IDE

4 月 23 日消息，JetBrains 昨日（4 月 22 日）發(fā)布公告，宣布由于 Aqua 未能達(dá)到預(yù)期的市場采用率，公司決定停用這一專為 QA 工程師設(shè)計(jì)的自動化測試 IDE 產(chǎn)品。

發(fā)表于：4/23/2025

意法半導(dǎo)體監(jiān)事會發(fā)表聲明對近期報道作出三點(diǎn)評論

4 月 15日，中國 —— 意法半導(dǎo)體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監(jiān)事會對 4 月 9 日意大利媒體的報道作出三點(diǎn)評論：

發(fā)表于：4/23/2025

傳SpaceX自建700X700mm面板級封裝產(chǎn)線

馬斯克旗下SpaceX進(jìn)軍半導(dǎo)體封裝，自建700X700毫米全球最大面板級封裝產(chǎn)線，采用扇出型技術(shù)整合衛(wèi)星芯片，推動"由圓轉(zhuǎn)方"產(chǎn)業(yè)變革，加速美國制造與太空技術(shù)自主化。

發(fā)表于：4/22/2025

傳臺積電2nm已獲英特爾下單

4月22日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日本》報道，繼AMD之后，晶圓代工大廠臺積電最新的2nm制程已經(jīng)獲得了英特爾的下單。

發(fā)表于：4/22/2025

消息稱三星電子正推動DRAM制程升級

4 月 22 日消息，臺媒《電子時報》今日稱，隨著三星電子推動 DRAM 內(nèi)存制程工藝的策略性轉(zhuǎn)換升級，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（內(nèi)存條）即將停產(chǎn)。具體來看，多家供應(yīng)鏈企業(yè)反饋收到產(chǎn)品 EOL（IT之家注：生命周期結(jié)束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內(nèi)存條的最后訂購日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。

發(fā)表于：4/22/2025

臺積電：無法保證半導(dǎo)體芯片不會被轉(zhuǎn)移到被禁企業(yè)

4月22日消息，據(jù)Tom's hardware報道，針對此前臺積電因在不知情的情況下為被美國列入黑名單的中企生產(chǎn)AI計(jì)算小芯片，或?qū)⒚媾R 10 億美元的罰款一事，臺積電在其最新的年度報告中承認(rèn)，在其代工的芯片離開晶圓廠后，難以確?？蛻舨粫⑿酒D(zhuǎn)移，以及了解芯片最終用途。換句話說，臺積電不能保證類似的事件不會重演。

發(fā)表于：4/22/2025

印度提交埃米級芯片議案入局芯片戰(zhàn)

4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機(jī)構(gòu)印度科學(xué)研究所（IISc）的30名科學(xué)家團(tuán)隊(duì)聯(lián)合向政府提交了一份開發(fā)“埃級”芯片的議案，該芯片的尺寸遠(yuǎn)小于目前生產(chǎn)的最小芯片。

發(fā)表于：4/22/2025

臺積電美國廠4年巨虧400億臺幣南京廠大賺800億臺幣

4月21日消息，臺積電一直積極赴美投資建廠，總額高達(dá)1650億美元，計(jì)劃建設(shè)六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發(fā)中心，未來甚至落地2nm、1.6nm級別先進(jìn)工藝，而因?yàn)榉N種原因，在內(nèi)地只能部署一些成熟工藝。根據(jù)臺積電最新公布的股東會年報，臺積電在美國亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺幣，成為最燒錢的海外廠區(qū)。在此前三年，臺積電美國工廠因?yàn)橐恢碧幱谇捌谕顿Y建設(shè)階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴(kuò)大，2021年、2022年、2023年分別達(dá)48.1億元新臺幣、94.3億元新臺幣、109.24億元新臺幣，四年合計(jì)虧損幾乎達(dá)到400億元新臺幣。

發(fā)表于：4/22/2025

Arm已將Artan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)出售給了Cadence

近日，EDA及半導(dǎo)體IP大廠Cadence宣布，已與Arm達(dá)成最終協(xié)議，收購Arm的Artisan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)。該業(yè)務(wù)涵蓋標(biāo)準(zhǔn)單元庫、內(nèi)存編譯器以及針對領(lǐng)先代工廠先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)優(yōu)化的通用I/O（GPIO）。此次交易將增強(qiáng)Cadence不斷擴(kuò)展的設(shè)計(jì)IP產(chǎn)品線，其核心產(chǎn)品包括領(lǐng)先的協(xié)議和接口IP、內(nèi)存接口IP、適用于最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的SerDes IP，以及即將收購的Secure-IC公司提供的嵌入式安全I(xiàn)P。

發(fā)表于：4/21/2025

Intel 18A更多細(xì)節(jié)曝光

4月21日消息，根據(jù)VLSI 2025最新曝光的資料中，英特爾披露了更多的關(guān)于其最新的 Intel 18A制程的細(xì)節(jié)。根據(jù)英特爾官網(wǎng)的此前公布的資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)電流的精確控制，同時還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達(dá) 4%，并且與正面功率設(shè)計(jì)相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。與Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。最新資料顯示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫，具有全功能的技術(shù)設(shè)計(jì)功能和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)易用性。在 PPA 比較中，Intel 18A 在標(biāo)準(zhǔn) Arm 內(nèi)核子塊上設(shè)法在 1.1V 電壓下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 實(shí)現(xiàn)了比 Intel 3 更好的面積利用率，這意味著該工藝可以實(shí)現(xiàn)更好的面積效率和更高密度設(shè)計(jì)的潛力。

發(fā)表于：4/21/2025