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英特爾再次因財務(wù)問題推遲俄亥俄州晶圓廠

6月23日消息，據(jù)外媒 NBC4i 報道稱，由于財務(wù)問題，英特爾已經(jīng)多次推遲了其在俄亥俄州晶圓廠（曾被稱為 Silicon Heartland）的建設(shè)和設(shè)備采購，現(xiàn)在的量產(chǎn)時間表已經(jīng)推遲到了2031年，但這將使得英特爾的供應(yīng)商——美國電力（AEP）在俄亥俄州的變電站將持續(xù)閑置。

發(fā)表于：6/24/2025

曝三星1.4nm推遲至2028年

6月24日消息，據(jù)媒體報道，三星原定于今年第二季度動工的1.4nm測試線建設(shè)計劃已被推遲，預(yù)計投資將延后至今年年底或最早明年上半年。

發(fā)表于：6/24/2025

富士通2nm CPU仍交由臺積電代工

6月24日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本富士通（Fujitsu）目前正研發(fā)2nm CPU “MONAKA”，預(yù)計將交由臺積電代工生產(chǎn)。不過，富士通也表示，日本初創(chuàng)晶圓代工企業(yè)Rapidus 對于確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定性來說非常有用。據(jù)了解，富士通Monaka是一款面向數(shù)據(jù)中心的處理器，采用基于臺積電的CoWoS-L封裝技術(shù)的博通3.5D XDSiP技術(shù)平臺，擁有36個計算小芯片。其中主要的CPU計算核心基于Armv9指令集，擁有144個CPU內(nèi)核，采用臺積電2nm制程制造，并使用混合銅鍵合（HCB）以面對面（F2F）方式堆疊在 SRAM tiles 上（本質(zhì)上是巨大的緩存）。SRAM tiles是基于臺積電的5nm工藝制造的。計算和緩存堆棧伴隨著一個相對巨大的 I/O 芯片，該芯片集成了內(nèi)存控制器、頂部帶有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以連接加速器和擴展器，以及人們期望從數(shù)據(jù)中心級 CPU 獲得的其他接口。

發(fā)表于：6/24/2025

2026年約1/3手機芯片采用2nm/3nm先進(jìn)工藝

CounterPoint 預(yù)測 2026 年約 1/3 出貨手機芯片采用 2nm / 3nm 先進(jìn)工藝

發(fā)表于：6/24/2025

阿里云推出自動駕駛模型加速框架PAI-TurboX

訓(xùn)練時間可縮短 50%，阿里云推出自動駕駛模型加速框架 PAI-TurboX

發(fā)表于：6/24/2025

西門子宣布計劃在重慶建立創(chuàng)新研發(fā)中心

6 月 23 日消息，西門子中國今日發(fā)文，當(dāng)?shù)貢r間 6 月 19 日，重慶市委書記袁家軍與中國駐德國大使鄧洪波一行，到訪西門子總部（柏林），并與西門子董事會主席、總裁兼首席執(zhí)行官博樂（Roland Busch）、西門子中國董事長、總裁兼首席執(zhí)行官肖松等管理層進(jìn)行會談。雙方圍繞中德產(chǎn)業(yè)共創(chuàng)共贏、西門子與重慶戰(zhàn)略合作深化、創(chuàng)新能力共建等話題進(jìn)行了深入交流。

發(fā)表于：6/24/2025

瑞薩電子因Wolfspeed破產(chǎn)將認(rèn)列2500億日元損失

由于碳化硅（SiC）材料大廠Wolfspeed 可能將在近期內(nèi)申請破產(chǎn)，6月23日，曾與Wolfspeed達(dá)成碳化硅供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子，已與 Wolfspeed及其主要債權(quán)人簽署重組支持協(xié)議（以下簡稱“重組支持協(xié)議”），以對 Wolfspeed 進(jìn)行財務(wù)重組。瑞薩預(yù)計將認(rèn)列2500億日元損失。

發(fā)表于：6/24/2025

中國科學(xué)院雙向高導(dǎo)熱石墨膜研究獲突破

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所：雙向高導(dǎo)熱石墨膜研究獲突破，為 5G芯片、功率半導(dǎo)體熱管理提供技術(shù)支撐 6 月 23 日消息，近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所聯(lián)合寧波大學(xué)研究團隊在《Advanced Functional Materials》發(fā)表研究，提出以芳綸膜為前驅(qū)體通過高溫石墨化工藝制備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導(dǎo)熱石墨膜，在膜厚度達(dá)到 40 微米的情況下實現(xiàn)面內(nèi)熱導(dǎo)率 Kin 達(dá)到 1754W/m·K，面外熱導(dǎo)率 Kout 突破 14.2W/m·K。與傳統(tǒng)導(dǎo)熱膜相比，雙向高導(dǎo)熱石墨膜在面內(nèi)和面外熱導(dǎo)率及缺陷控制上均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。

發(fā)表于：6/23/2025

英特爾公布18A工藝節(jié)點技術(shù)細(xì)節(jié)

6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規(guī)模集成電路技術(shù)與電路研討會（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節(jié)點技術(shù)細(xì)節(jié)。

發(fā)表于：6/23/2025

三星被曝芯病嚴(yán)重：偽造數(shù)據(jù)、掩蓋缺陷

6 月 19 日消息，據(jù)海外科技媒體 Rest of World 報道，三星電子的芯片工程師正在流失，由于長時間工作、低工資和充滿敵意的工作文化，許多芯片員工紛紛跳槽，投奔包括美國公司在內(nèi)的競爭對手。剩下的員工不得不長時間、高強度地輪班工作，以彌補空缺。

發(fā)表于：6/23/2025

傳聯(lián)電計劃收購彩晶南科廠以發(fā)展先進(jìn)封裝

近日市場傳出消息稱，晶圓代工大廠聯(lián)電有意在南科收購瀚宇彩晶廠房。對此，聯(lián)電響應(yīng)表示，對于市場傳言不予評論。不過針對未來在中國臺灣產(chǎn)能規(guī)劃，聯(lián)電指出，目前已在新加坡建置2.5D先進(jìn)封裝產(chǎn)能，并已將部分制程拉回中臺灣，不排除未來在臺擴廠的可能。未來將依據(jù)業(yè)務(wù)發(fā)展與整體策略，搭配既有的晶圓對晶圓鍵合（Wafer to Wafer Bonding）技術(shù)，持續(xù)在臺灣推進(jìn)更完整的先進(jìn)封裝解決方案。聯(lián)電目前于南科設(shè)有Fab 12A廠，于2002年開始量產(chǎn)，現(xiàn)已導(dǎo)入14nm制程，提供客戶高階定制化制造。據(jù)業(yè)界信息指出，聯(lián)電正洽談購置Fab 12A廠對面的彩晶廠房，未來可能規(guī)劃用于發(fā)展先進(jìn)封裝產(chǎn)能。

發(fā)表于：6/23/2025

美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免”

美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免” 6月20日，據(jù)《華爾街日報》援引知情人士的話報道稱，負(fù)責(zé)美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）的商務(wù)部副部長杰弗里·凱斯勒（Jeffrey Kessler）已經(jīng)通知三星電子、SK海力士、臺積電等在中國大陸擁有晶圓廠的晶圓制造商，美國計劃取消允許它們在中國使用美國技術(shù)（主要是半導(dǎo)體設(shè)備）的豁免。

發(fā)表于：6/23/2025

消息稱軟銀構(gòu)想在美國建設(shè)萬億美元超級科技工業(yè)綜合體

6 月 20 日消息，彭博社早些時候報道稱，軟銀創(chuàng)始人孫正義構(gòu)想在美國亞利桑那州建設(shè)一個價值萬億美元的工業(yè)綜合體，覆蓋從 AI 到工業(yè)機器人的多樣化產(chǎn)業(yè)。

發(fā)表于：6/20/2025

MIT新3D半導(dǎo)體工藝探索突破摩爾定律新路徑

6 月 20 日消息，麻省理工學(xué)院（MIT）的研究團隊開發(fā)出一種低成本、可擴展的制造技術(shù)，可將高性能氮化鎵（GaN）晶體管集成到標(biāo)準(zhǔn)硅芯片上，從而提升高頻應(yīng)用（如視頻通話、實時深度學(xué)習(xí)）的性能表現(xiàn)。

發(fā)表于：6/20/2025

零次方機器人發(fā)布國內(nèi)首個全模態(tài)具身數(shù)據(jù)全鏈路解決方案

6 月 19 日消息，據(jù)安徽日報報道，位于安徽合肥的零次方機器人有限公司今日宣布，該企業(yè)在智能核心技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，發(fā)布國內(nèi)首個、業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“全模態(tài)”具身數(shù)據(jù)全鏈路解決方案。“它如同人形機器人的‘訓(xùn)練寶典’，可系統(tǒng)解決當(dāng)前制約具身智能模型訓(xùn)練與落地的核心痛點，讓人形機器人訓(xùn)練與場景落地更快速、更便捷?！?

發(fā)表于：6/20/2025