10月15日消息，據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星電子內(nèi)部正討論解散負(fù)責(zé)1c DRAM 良率優(yōu)化的專案小組（TF），以便將人力與資源全面轉(zhuǎn)向HBM4 量產(chǎn)準(zhǔn)備，力拼在年底前打入英偉達(dá)供應(yīng)鏈，重奪高端內(nèi)存市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)。

報(bào)道稱，三星此次計(jì)劃采用更先進(jìn)的1c DRAM 做為HBM4 的核心芯片（Core Die），理論上可實(shí)現(xiàn)更高帶寬與能源效率。不過(guò)有報(bào)導(dǎo)指出，其在“冷測(cè)”（Cold Test）階段的良率僅約35%至50%，仍低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。由于1c 制程線寬進(jìn)一步縮小，制程控制誤差的容忍度低于1b DRAM，光刻與蝕刻難度大幅提升。

為了解決良率問(wèn)題，三星副會(huì)長(zhǎng)全永鉉上任后，集合內(nèi)存事業(yè)部的核心工程師，成立TF 團(tuán)隊(duì)，專注于1c 制程的穩(wěn)定性與良率提升。但在新的量產(chǎn)時(shí)間規(guī)劃的壓力下，三星似乎決定跳過(guò)內(nèi)部量產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA）程序，直接投入HBM4 量產(chǎn)體系的建構(gòu)。

業(yè)界分析指出，即使良率未達(dá)理想，三星也要憑借產(chǎn)品代差與性能優(yōu)勢(shì)突圍。熟悉內(nèi)情人士透露，三星內(nèi)部寧可犧牲短期效率，也要在HBM4 成為新標(biāo)準(zhǔn)前搶回技術(shù)主導(dǎo)權(quán)。

相較之下，SK 海力士據(jù)稱已經(jīng)完成了HBM4 量產(chǎn)準(zhǔn)備，因?yàn)槠洳捎贸墒斓?b DRAM制程與MR-MUF 封裝方案，良率預(yù)計(jì)超過(guò)70%，已達(dá)量產(chǎn)獲利門坎。

根據(jù)Counterpoint Research 統(tǒng)計(jì)，今年第二季全球HBM市場(chǎng)SK海力士的市占率為62%、美光為21%、三星僅17%。這是三星首次跌至第三。業(yè)界分析認(rèn)為，若三星無(wú)法在短期內(nèi)穩(wěn)定HBM4 量產(chǎn)良率，市占差距恐進(jìn)一步擴(kuò)大。

隨著AI 訓(xùn)練需求推升HBM 需求量倍增，業(yè)界普遍預(yù)期HBM4 將成為2025之后最具關(guān)鍵的內(nèi)存戰(zhàn)場(chǎng)。能否率先掌握量產(chǎn)節(jié)奏和良率，將決定全球內(nèi)存的格局是否會(huì)重新洗牌。

另外，三星電子還計(jì)劃加快其下一代HBM4E 內(nèi)存的研發(fā)，預(yù)計(jì)速率將高達(dá) 13Gbps，帶寬高達(dá) 3.25TB/秒，比 HBM3E 快 2.5 倍以上，且能效提升一倍。該項(xiàng)突破計(jì)劃于 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，以滿足 NVIDIA 在 AI 和下一代 GPU 領(lǐng)域?qū)Ω邘拑?nèi)存的需求。