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美國(guó)對(duì)華HBM出口管制規(guī)則公布
發(fā)表于：12/3/2024 1:32:38 PM
傳美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體限制新規(guī)比預(yù)期寬松
發(fā)表于：11/29/2024 10:20:10 AM
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星HBM內(nèi)存芯片
發(fā)表于：11/25/2024 11:13:19 AM
HBM隨著AI需求的飆升愈發(fā)成為首選內(nèi)存
發(fā)表于：11/25/2024 11:04:42 AM
TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
發(fā)表于：11/21/2024 10:19:00 AM
三星宣布擴(kuò)建HBM封裝產(chǎn)線
發(fā)表于：11/13/2024 9:40:33 AM
TrendForce預(yù)測(cè)2025年DRAM產(chǎn)量同比增長(zhǎng)25%
發(fā)表于：11/7/2024 10:56:35 AM
錯(cuò)過AI熱潮致使三星面臨空前危機(jī)
發(fā)表于：11/7/2024 9:52:50 AM
2024年全球半導(dǎo)體收入將增長(zhǎng)19%至6300億美元
發(fā)表于：11/1/2024 10:15:13 AM
三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)三季度獲利環(huán)比大跌40%
發(fā)表于：11/1/2024 8:18:53 AM
錯(cuò)過AI熱潮致三星電子市值蒸發(fā)1220億美元
發(fā)表于：10/31/2024 9:43:16 AM
SK海力士三季度HBM營(yíng)收暴漲330%
發(fā)表于：10/25/2024 10:06:28 AM
消息稱SK海力士收縮CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)規(guī)模
發(fā)表于：10/18/2024 10:27:28 AM
2025年全球HBM產(chǎn)能將同比大漲117%
發(fā)表于：10/17/2024 11:21:33 AM
三星或?qū)BM產(chǎn)能目標(biāo)下調(diào)至每月17萬顆
發(fā)表于：10/15/2024 9:21:02 AM
消息稱三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)延遲調(diào)減HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃
發(fā)表于：10/11/2024 10:10:51 AM
美光宣布今明兩年HBM產(chǎn)能已銷售一空
發(fā)表于：9/27/2024 12:00:26 PM
摩根士丹利報(bào)告顯示DRAM市場(chǎng)寒冬將至
發(fā)表于：9/19/2024 11:21:01 AM
美國(guó)繼續(xù)施壓韓國(guó)對(duì)華芯片圍堵
發(fā)表于：9/13/2024 10:15:00 AM
SK海力士調(diào)整生產(chǎn)線以便于專注先進(jìn)HBM內(nèi)存量產(chǎn)
發(fā)表于：9/13/2024 9:50:00 AM
消息稱三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化
發(fā)表于：9/3/2024 11:36:23 AM
SK海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制HBM內(nèi)存意向
發(fā)表于：8/21/2024 9:51:02 PM
三星HBM押注下一代存儲(chǔ)技術(shù)CXL
發(fā)表于：8/20/2024 8:33:01 AM
NEO Semiconductor宣布推出3D X-AI芯片技術(shù)
發(fā)表于：8/19/2024 10:27:50 AM
HBM帶動(dòng)三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營(yíng)收前四
發(fā)表于：8/14/2024 9:25:00 AM
美光加碼投資臺(tái)灣建立第二研發(fā)中心
發(fā)表于：8/13/2024 10:30:52 AM
SK海力士獲美國(guó)芯片法案4.5億美元補(bǔ)貼
發(fā)表于：8/7/2024 10:10:00 AM
2025年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將達(dá)2340億美元
發(fā)表于：8/7/2024 9:54:00 AM
傳中企囤積三星HBM芯片以應(yīng)對(duì)美出口管制
發(fā)表于：8/7/2024 9:15:00 AM
三星芯片主管警告：不改革將陷入“惡性循環(huán)”
發(fā)表于：8/2/2024 8:16:00 AM

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